華科智源-HTGB高溫柵偏系統(tǒng)，將被測(cè)量元件放置在一定的環(huán)境溫度中，給被測(cè)元件的柵極施加一定的偏置電壓。系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測(cè)每個(gè)材料的漏電流、電壓，當(dāng)被測(cè)材料實(shí)時(shí)漏電流超過(guò)設(shè)定值時(shí)，自動(dòng)切斷被測(cè)材料上的電壓。

品牌： HUSTEC
名稱： HTGB高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng)
型號(hào)： GKH-HTGB-C16

產(chǎn)品詳情

★主要技術(shù)規(guī)格和性能:
產(chǎn)品型號(hào) GKH-HTGB-C16
產(chǎn)品名稱 高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng)
高溫試驗(yàn)箱 PH-201高溫試驗(yàn)箱一臺(tái)，
試驗(yàn)區(qū)域 16個(gè)
試驗(yàn)容量 每通道80工位，共16通道。
試驗(yàn)電源 選配TDK的Z+系列電源或安捷倫試驗(yàn)電源。
電源數(shù)量：配置4臺(tái)/8臺(tái)電源。
輸出范圍：0～35V或0～60V。
主要功能 ① 正常HTGB試驗(yàn)，通過(guò)按鈕可以選擇正柵壓或負(fù)柵壓，兩種偏壓工作時(shí)只能二選一，不能同時(shí)工作。
② 熱阻測(cè)量，即測(cè)量HTGB工作時(shí)的Tj值。
③ 高溫試驗(yàn)箱內(nèi)可放置4層板或8層板。具體需根據(jù)器件的封裝尺寸定義。當(dāng)被測(cè)量模塊體積過(guò)大時(shí)，由于體積的限制，被測(cè)器件數(shù)據(jù)需相應(yīng)減少。
④ 可選配最高溫度為300℃的高溫試驗(yàn)箱。
測(cè)控功能 ① 檢測(cè)每個(gè)材料的電壓、漏電流值。
② 漏電流超限保護(hù)，自動(dòng)切斷測(cè)量回路。
③ 測(cè)量電流范圍：1nA～100uA；
④ 電流分辨率：0.5nA；
⑤ 測(cè)量精度：±2%±3nA；
防靜電設(shè)計(jì) ① 設(shè)備外殼良好接地；
② 預(yù)留靜電接地端子（香蕉插頭插孔）方便操作員連接靜電環(huán)。
計(jì)算機(jī) 工業(yè)級(jí)電腦主機(jī)、液晶顯示器、專用鍵盤及鼠標(biāo)。WINDOWS操作界面，友好的人機(jī)對(duì)話窗口， 強(qiáng)大的圖形編輯能力以及強(qiáng)大的器件庫(kù)供用戶選擇，軟件操作簡(jiǎn)單易學(xué)。更有系統(tǒng)查詢?cè)\斷功能， 試驗(yàn)狀況一目了然，方便用戶隨時(shí)查驗(yàn)。
老化板 可按客戶的器件封裝定制老化板。
電網(wǎng)要求 單相AC220V±10%，47Hz~63Hz，6KW
外形尺寸 W1360mmхH1820mmхD1320mm
重量 約500kg

HTRB/HTGBJ測(cè)試介紹

高溫反偏試驗(yàn)（High Temperature Reverse Bias Test，HTRB）是在高溫下加上反向偏壓的工作模式，由于高溫下漏電流增加，質(zhì)量差的器件就會(huì)失效，以此評(píng)估產(chǎn)品的可靠性。

測(cè)試溫度：125℃，150℃或175℃。

測(cè)試時(shí)間：168h，500h，1000h。

測(cè)試目的：研究器件在靜態(tài)工作模式下，以最高額定反向直流電壓下或者80%最高額定反向直流電壓進(jìn)行工作，以確定偏置條件和溫度隨時(shí)間對(duì)固態(tài)設(shè)備的影響。

參考測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A108



高溫柵偏試驗(yàn)（High Temperature Gate Bias, HTGB）主要是用于測(cè)定柵氧本身及相關(guān)界面的可靠性。

測(cè)試溫度：150℃或175℃。

測(cè)試時(shí)間：500h，1000h。

參考測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A108

HTBR和HTGB是可靠性測(cè)試中最常見(jiàn)的測(cè)試項(xiàng)目。

適用測(cè)試器件：功率二極管， SiC肖特基和肖特基二極管，晶閘管，三端雙向可控硅和IGBT。

試驗(yàn)設(shè)備：高溫反偏試驗(yàn)機(jī)