石墨烯粉末電阻率測試儀以實現精準測量。品牌與認證符合行業標選擇通過國家或國際認證的儀器（如符合GB/T標如需進一步了解具體型號參數或供應商信息，可參考原文鏈接或聯系廠商獲取技術文檔。

GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法

硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針法

GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測量方法提要

GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法

GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法

石墨烯粉末電阻率測試儀探針（帶有彈簧及外引線）之間或探針系統其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω. 探針排列和間距，四探針應以等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應符合 GB/T 552中的規定。

確認儀器是否支持選配模具或傳感器（如壓力、溫度），以適應多樣化測試需求。

石墨烯粉末電阻率測試儀下列文件中的條款通過本標準的引用商成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。GB/T 1552 硅、儲單晶電阻率測定 直排四探針法

選型建議明確測試需求關鍵部件采用進口元件的儀器壽命更長。應用場景擴展用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上，試樣放置的時間應足夠長，達到熱平衡時，試樣溫度為23 ℃±1℃.-2004）。

石墨烯粉末電阻率測試儀測量特殊形狀或尺寸的樣品（如扁鋼接地體），需搭配專用取樣器（如半導電橡塑電阻儀取樣

品牌資質與售后服務，避免后續使用問題。

探針與試樣壓力分為小于0.3 N及0.3 N~0.8N兩種。電流輸出：直流電流0～1000mA連續可調，由交流電源供電。誤差：±0.2%讀數±2字

干擾因素探什材料和形狀及其和硅片表面接觸是否滿足點電流源注人條件會影響測試精度。

測量誤差±5%

本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導率單位自動選擇，BEST-300C 材料電導率測試儀自動測量并根據測試結果自動轉換量程，無需人工多次和重復設置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數據，自動生成圖表和報表。

電源：220±10% 50HZ/60HZ

250 μm 的半球形或半徑為 50 μm~125 μm 的平的圓截面。

主機外形尺寸：330mm*340mm*120mm

測量精度±（0.1%讀數）

分辨率：最小1μΩ

行業標準：需確認儀器是否符合YS/T 587.6-2006、GB/T 24521-2018 等標準，滿足相關炭素材料測試要求。材料類型：適用于石墨、碳素粉末、鋰電池材料、粉末冶金等導電或半導體粉末的測試。自動化與功能性電流輸出：直流電流0～1000mA連續可調，由交流電源供電。提供完整的技術支持和售后服務，保障儀器的長期穩定使用。操作與維護便利性人機交互設計，而常規檢測可適當放寬精度要求。測試電流適配性半導電材料對測試電流敏感，需根據材料提升測量準確性，尤其適用于微電阻或高阻值測量場景。相較傳統兩線法或兆歐表，四線法更器類型與便攜性1.手持式 vs 臺式手持式：適合現場快速檢測，便攜性強，但可能犧牲部分精

如2兆歐檔誤差±0.5%讀數+2字）。精度要求：高精度場景（如實驗室）需選擇誤差更小的儀器

粉體電阻率測試儀的選型需綜合考慮測量需求、材料特性、測試環境及預算等因素。以下是基于搜索結果的選型關鍵點分析及推薦：核心選型要素

測試標準與適用材料電流換向開關電導率：5×10-6～1×108ms/cm

特性。總結建議明確被測材料的電阻范圍及測試環境，選擇匹配量程和精度的儀器優先采用四

電位差計和電流計或數字電壓表，量程為1mV~100mV，分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小

電阻：1×10-5～2×105Ω\cdot \text{cm}\) 之間。需確保測試儀的測量范圍覆蓋實際應用需求。例如，若需測量中高

光照、高頻、需動、強電磁場及溫醒度等測試環境會影響測試結果，

若需同時測量土壤電阻率或泄漏電流，可考慮多功能測試儀，但需確認其是否兼容半導電材料

及導出功能的儀器更便于后續分析。例如，3位數字顯示屏和自動過載提示能提升操作效率。儀

與維護選擇具備堅固外殼、防塵防水（如I54等級）的儀器，適應戶外或復雜工業環境。同時

本標準適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量精確度尚未評估。

參考回路電阻測試儀的選型思路（如連續可調電流設計）。

考慮廠商技術支持能力，注意事項誤差來源：粉末壓實度、模具清潔度、環境溫濕度均可能影響結果，需規范操作流程。校準維護定期使用標準電阻校準（如1-5 個標準電阻選配），確保長期穩定性。

雙刀雙撐電位選擇開關。適合半導電材料的精密檢測。環境適應性儀器需在特定溫濕度條件下工作（如溫度23±2°C、于10*0.電子測量裝置適用性應符合GB/T 1552 的規定。 歐嬌表，能指示阻值高達 10°日 的漏電阻. 溫度針o℃～40 ℃，最小刻度為0.1 ℃。

自動化操作高端型號北廣精儀儀器設備公司支持自動加壓、脫模、數據采集及生成曲線圖譜，適合批量測試需求；手動型號成本較低。附加功能部分儀器集成溫度、壓強實時監測，或支持高溫測試適用于模擬極端環境下的電性能分析。

電阻率：1×10-6～2×106Ω.cm、

量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示電阻值、電阻率、方阻、電導率值、溫度、壓強值、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據產品及測試項目要求選購.

準），確保安全性與可靠性。例如，部分儀器明確標注符合電力行業執行標準（如DL/T 845.4

測量電壓量程：2mV20mV200mV2V

1. 測量范圍與精度電阻率范圍：多數儀器的電阻率覆蓋范圍為 (10^-7- 10^8 Omega )，部分高溫型號可達更高范圍（如 \(10^-8- 10^8 ）。精度要求：高精度型號的電阻率測量誤差可低至 ±0.01 μΩ·m，而經濟型設備誤差通常為 ±0.1%～±0.3%。電流與電壓精度恒流源輸出需穩定（如 ±0.01 mA），電壓分辨率需達 0.1 μV 以支持微小信號檢測。

提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內及國外客戶需求

電壓表輸入阻抗會引入測試誤差。硅片幾何形狀，表面粘污等會影響測試結果。

本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導率單位自動選擇，BEST-300C 材料電導率測試儀自動測量并根據測試結果自動轉換量程，無需人工多次和重復設置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數據，自動生成圖表和報表。

適用范圍四端測試法是目前較先進之測試方法，主要針對高精度要求之產品測試；本儀器廣泛用于生產企業、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。

樣品臺和操針架樣品臺和探針架應符合GB/T152 中的規定。 樣品臺上應具有旋轉 360"的裝置。其誤差不大于士5"，測量裝置測量裝置的典型電路叉圖1，

恒意源，按表1的推薦值提供試樣所需的電流，精度為±0.5%.

GB/T 1555 半導體單晶晶向測定方法
主機外形尺寸：330mm*340mm*120mm
對于電阻率均勻一致的半導體材料來說，探針與半導體材料接觸半徑為a的擴展電阻用式（1）來表示;
該方法是先測量重復形成的點接觸的擴展電阻，再用校準曲線來確定被測試樣在探針接觸點期近的電阻率。擴展電阻R是導電金屬深針與建片上一個參考點之間的電勢降與流過探針的電流之比。
范圍本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。
本標準適用于側量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量材底同型或反型的硅片外延層的電阻率，測量范圍，10-* n·cm～10' Ω·cm。
圓試精度∶士5%， 機械裝置操針架，采用雙探針結構。探針架用作支承探針，使其以重復的速度和預定的壓力將探針尖下降至試樣表面，并可調節探針的接觸點位置探針實采用堅硬耐磨的良好導電材料如餓、碳化鴨成將釘合金等制成。針突曲率半徑不大于 25 μm，夾角 30°～60°。針距為40 μm～100 μm。
提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內及國外客戶需求
分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
國際標準分類中，四探針法涉及到半導體材料、金屬材料試驗、絕緣流體、獸醫學、復合增強材料、電工器件、無損檢測、集成電路、微電子學、土質、土壤學、水質、電子顯示器件、有色金屬。
本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示電阻值、電阻率、方阻、電導率值、溫度、壓強值、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據產品及測試項目要求選購.
電流輸出：直流電流0～1000mA連續可調，由交流電源供電。
GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法
式中;—-—電阻率，單位為歐姆厘來（0·cm）; a——接觸率徑，單位為厘米（cm） R，——擴展電阻，單位為歐姆（N），等式成立需符合如下三個假定條件;
測量儀器與環境本標準選用自動測量儀器，電流范圍及糖度;10 nA~10 mA，±0.1%。
可采用恒壓法，恒流法和對數比較器法，其電路圖分別見圖1、圖2、圖3.具體計算公式分別見式（2）、式（3）和式（4）
GB/T 7 重摻雜襯底上輕摻雜建外延層厚度的紅外反射測顯方法
電壓范圍及精度，≤20 mV，主±0，1%。
GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
GB/T -2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針法
電導率：5×10-6～1×108ms/cm
應避免試樣表面上存在OH-和F離子，如果試樣在制備或清洗中使用了含水溶劑或材料，測量前可將試樣在0 ℃條件下空氣中熱處理10mi~15 min.
將樣品粘在磨頭的斜面上，選取合適的研磨膏涂抹在樣品表面進行研磨，研磨后樣品須處理干凈。
測量精度±（0.1%讀數）
測量環境溫度為23 ℃士3 ℃，相對溫度不大于65%. 5，在愛射光或黑暗條件下進行調量。 必要時應進行電磁探針架置于消度臺上，
樣品制備用于測量晶片徑向電膽率均勻性的樣品應具有良好的鏡狀表面，制備方法包括，化學機被拋光/含水機被拋光/無水機被監光，外延后表面可直接用于測量，
誤差：±0.2%讀數±2字
本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導率單位自動選擇，BEST-300C 材料電導率測試儀自動測量并根據測試結果自動轉換量程，無需人工多次和重復設置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數據，自動生成圖表和報表。
用于測量電阻率縱向分布的樣品制備除特殊需要外，盡量在被測樣片中間區域劑取被測樣根據樣品測試深度及精度要求選取合通磨頭;
干狀因素如果硅片表測被氯離子估污或表固有損傷，會造成測試的結果誤差; 如果測試環境的溫度，光照強度的不同會影響測試結果; 如果測試環境有射頻干擾，會影響測試結果.
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
在中國標準分類中，四探針法涉及到半金屬與半導體材料綜合、金屬物理性能試驗方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯用裝置、電阻器、半導體集成電路、工程地質、水文地質勘察與巖土工程、水環境有毒害物質分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導體材料、金屬無損檢驗方法。
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,
樣品臺，絕緣真空吸盤或其他能將硅片固定的裝置，能在互相垂直的兩個方向上實現5μ~500μm 步距的位移
測量誤差±5%
為保證小信號測量條件，應使探針電勢不大于 20 mV。
電阻：1×10-5～2×105Ω
標配：測試平臺一套、主機一套、電源線數據線一套。
CB/T1550 非本征率導體材料導電類型測試方法 GB/T 1552 硅、儲單晶電阻率測定 直排四探針法
四端測試法是目前較先進之測試方法，主要針對高精度要求之產品測試；本儀器廣泛用于生產企業、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。
電源：220±10% 50HZ/60HZ
式中;R，—-精密電阻盟值，單位為歐姆（N）; loe（告）——-對數比較器輸出。
顯示方式：液晶顯示
方法原到擴展電阻法是一種實驗比較法。
測量電壓量程：2mV20mV200mV2V
絕緣性，探針之間及任一探針與機座之間的直流絕緣電阻大于（1×10）n， 測量環境
電阻測量范圍：兩個探針之間的距離必須大于 10 倍樣品電阻率需均勻一致; 不能形成表面保護膜或接觸勢壘。