硅碳棒注意事項(xiàng)

① 使用溫度硅碳棒溫度越高壽命越短。特別是在爐膛溫度超過(guò)1600℃以后，氧化速度加快，硅碳棒的使用壽命變短，所以請(qǐng)盡量不要讓硅碳棒表面溫度過(guò)高，有必要縮小爐膛溫度與硅碳棒溫度之差。

②表面負(fù)荷表面負(fù)荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所允許承載的額定功率。表面負(fù)荷密度=額定功率（W）/ 發(fā)熱部表面積（cm2） 實(shí)踐證明：負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長(zhǎng)快， SIC棒的壽命短。因此，硅碳棒表面溫度、負(fù)荷密度、爐內(nèi)氣氛、溫度與SIC棒老化速度成正比，與SIC棒的壽命成反比。 爐膛溫度與表面負(fù)荷密度的關(guān)系圖示的使用范圍曲線為表面負(fù)荷密度臨界線，實(shí)際情況下請(qǐng)保持臨界線的 1/2—1/3的表面負(fù)荷。

③ 爐內(nèi)氣氛在燒成中硅碳棒與很多燒成物揮發(fā)出來(lái)的化學(xué)物質(zhì)之間的會(huì)發(fā)生反應(yīng)，如果與水、氫、氮、硫、鹵素等氣體及熔融的鋁、堿、鹽、熔融金屬、金屬氧化物接觸的話，也會(huì)發(fā)生反應(yīng)、腐蝕或氧化現(xiàn)象。

④窯爐運(yùn)行方式硅碳棒在連續(xù)式窯爐與間歇式窯爐中，前者的壽命較長(zhǎng)。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，長(zhǎng)時(shí)間使用使二氧化硅皮膜增加，硅碳棒阻值也隨之增加。二氧化硅薄膜在結(jié)晶臨界點(diǎn)（1527℃）附近發(fā)生異常膨脹、收縮。因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動(dòng)，所以反復(fù)破二氧化硅薄膜，加速氧化。