村田高壓貼片電容采用了陶瓷粉生產(chǎn)技術(shù)，內(nèi)部含有貴金屬鈀金，外部通過高溫?zé)Y(jié)技術(shù)鍍銀作為電極。這些電容有兩種主要材料：高頻瓷介NPO和低頻瓷介X7R。

NPO材料的設(shè)計緊湊，具有耐高溫性能和高頻特性，廣泛應(yīng)用于需要高穩(wěn)定性的振蕩電路和濾波電容中。相反，X7R瓷介電容器適用于常規(guī)頻率電路中的旁路和隔直流

應(yīng)用，或者在對穩(wěn)定性和損耗沒有特殊要求的情況下。然而，由于在交流脈沖電路中容易被擊穿，這種電容器不適合在交流電路中使用。NPO介質(zhì)以其的穩(wěn)定性聞

名，幾乎不受溫度、電壓和時間變化的影響，是高頻、特高頻和甚高頻電路中極其關(guān)鍵的元件，特別是在對穩(wěn)定性和可靠性有嚴(yán)格要求的情況下。而X7R介質(zhì)則是一種

高效的電介質(zhì)，能夠?qū)崿F(xiàn)更高容量的電容設(shè)計。雖然它的性能在溫度、電壓和時間變化下保持相對穩(wěn)定，但仍然不如NPO介質(zhì)那么出色。不過，它在隔直、耦合、旁

路、濾波電路以及中高頻電路中表現(xiàn)出色。此外，還有半導(dǎo)體型X5R介質(zhì)，它具有更高的介電常數(shù)，適用于制造容量更大、標(biāo)稱容量更高的電容器。盡管如此，X5R介

質(zhì)的容量穩(wěn)定性不如X7R，對溫度、電壓等條件的變化更為敏感，主要用于電子設(shè)備中的振蕩、耦合、濾波和旁路電路。

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GRM55DR72E105KW01L 2220 X7R 250V 1UF 10%
GRM55DR72E474KW01L 2220 X7R 250V 0.47UF 10%
GRM43DR72E474KW01L 1812 XR7 250V 0.47UF 10%
GRM55DR72E334KW01L 2220 X7R 250V 0.33UF 10%
GRM43DR72E334KW01L 1812 X7R 250V 0.33UF 10%
GRM43DR72E224KW01L 1812 X7R 250V 220N 10%
GRM32DR72E224KW01L 1210 X7R 250V 224K 10%
GRM32QR72E154KW01L 1210 X7R 250V 0.15UF 10%
GRM32DR72E104KW01L 1210 X7R 250V 0.1UF 10%
GRM31CR72E473KW03L 1206 X7R 250V 47NF 10%
GRM31CR72E333KW03L 1206 X7R 250V 33NF 10%
GRM31BR72E223KW01L 1206 X7R 250V 22NF 10%
GRM21BR72E103KW03L 0805 X7R 250V 10NF 10%

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